Forschungsbereich

Oberflächentechnik

Röntgenphotoelektronenspektrometer XPS

Anwendungsbeispiele:

  • Oberflächenanalytische Methode auf Grundlage des photoelektrischen Effekts
    • qualitative und quantitative Elementanalyse (Z ≥ 3)
    • Bestimmung chemischer Zustände (Oxidationszustände)
    • Nachweisgrenzen elementabhängig 0,1-1 at%
    • Informationstiefe bis ca. 10 nm
    • Element- und Zustandsverteilungsbilder (Imaging)
    • Tiefenprofile: zerstörungsfrei bis 10 nm durch winkelabhängige Messungen (angle resolved XPS; ARXPS), zerstörend bis mehrere 100 nm durch Ionenätzen, monoatomare Ar-Ionen für anorganische und Ar-Clusterionen für organische Materialien
  • Substrate
    • Metall
    • Polymere
    • Glas
    • Pulvern
    • Fasern
    • Magnetisch nach Absprache


Gerätekonfiguration:

  • duale Röntgenquelle (Mg Kα: 1253,6 eV und Al Kα: 1468,6 eV)
  • monochromatische Röntgenquelle (Al Kα: 1468,6 eV)
  • 180°-Hemisphärischer Analysator
  • DLD-Detektor (Delay-Line Detection System, bis zu 128 Kanäle im Spektroskopiemodus, Abbildungen mit 64.000 Bildpunkten)
  • selbstregulierende AXIS-Aufladungskompensation mit niederenergetischen Elektronen
  • Argonclusterionenquelle GCIS (Ar+ 0,1 – 5,0 keV; Ar+n bis 20,0 keV mit n ~ 100-3000) für Probenpräparation und Tiefenprofile mittels Ionenätzen
  • Heizen bis 600°C und Kühlen bis –150°C in Präparations- und Analysenkammer
  • optisches Positioniersystem
  • Probenanforderungen:
    • Feststoffe, UHV-kompatibel
    • bevorzugte Größe: ca. 15 x 15 mm2, Höhe bis 3,8 mm
    • besondere Anforderungen: Durchmesser bis 100 mm mit max. Höhe 3,8 mm oder 59 mm x 9 mm x 12 mm (BxLxH)

Übersicht der Geräte

Hersteller:

Kratos Analytical Ltd.

Typ:

Axis Ultra DLD

 

Thomas Seemann

Oberflächentechnik

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Telefon: +49 3641 282562

Björn Kretzschmar

Dr.-Ing. Björn Kretzschmar

Oberflächentechnik

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Telefon: +49 3641 282554