Anwendungsbeispiele:

• Oberflächenanalytische Methode auf Grundlage des photoelektrischen Effekts
  • qualitative und quantitative Elementanalyse (Z ≥ 3)
  • Bestimmung chemischer Zustände (Oxidationszustände)
  • Nachweisgrenzen elementabhängig 0,1-1 at%
  • Informationstiefe bis ca. 10 nm
  • Element- und Zustandsverteilungsbilder (Imaging)
  • Tiefenprofile: zerstörungsfrei bis 10 nm durch winkelabhängige Messungen (angle resolved XPS; ARXPS), zerstörend bis mehrere 100 nm durch Ionenätzen, monoatomare Ar-Ionen für anorganische und Ar-Clusterionen für organische Materialien
• Substrate
  • Metall
  • Polymere
  • Glas
  • Pulvern
  • Fasern
  • Magnetisch nach Absprache

Gerätekonfiguration:

• duale Röntgenquelle (Mg Kα: 1253,6 eV und Al Kα: 1468,6 eV)
• monochromatische Röntgenquelle (Al Kα: 1468,6 eV)
• 180°-Hemisphärischer Analysator
• DLD-Detektor (Delay-Line Detection System, bis zu 128 Kanäle im Spektroskopiemodus, Abbildungen mit 64.000 Bildpunkten)
• selbstregulierende AXIS-Aufladungskompensation mit niederenergetischen Elektronen
• Argonclusterionenquelle GCIS (Ar+ 0,1 – 5,0 keV; Ar+n bis 20,0 keV mit n ~ 100-3000) für Probenpräparation und Tiefenprofile mittels Ionenätzen
• Heizen bis 600°C und Kühlen bis –150°C in Präparations- und Analysenkammer
• optisches Positioniersystem
• Probenanforderungen:
  • Feststoffe, UHV-kompatibel
  • bevorzugte Größe: ca. 15 x 15 mm², Höhe bis 3,8 mm
  • besondere Anforderungen: Durchmesser bis 100 mm mit max. Höhe 3,8 mm oder 59 mm x 9 mm x 12 mm (BxLxH)